打破平面IC設計舊思維TSV引領3D IC新浪潮- 學技術- 新電子科技雜誌 不同於過去晶片設計的二維思考模式,矽穿孔(TSV)技術係採三維(3D)堆疊方式進行 開發,可縮短每層晶片間的內部連結路徑,提升訊號傳遞速度,並降低雜訊與功耗; ...
「3d ic設計」的新聞搜尋結果 除整合高效處理器與多核心封裝應用外,在CMOS影像感測器製造上也可善用3D IC製程提升產品效益。CMOS影像感測器產品的設計需求為高效能、 ...
突破3D IC設計挑戰TSV CIS價跌量升- 趨勢眺望- 新通訊元件雜誌 TSV用於3D IC架構的CIS中,可展現許多優勢,其中最重要的是成本較低,因而吸引 國內外 ... 有關CIS設計(含TSV)技術的挑戰,包含光學設計、鏡片材料、量測、晶圓級 ...
3D IC矽穿孔製程漸成熟有助3C產品微縮設計 - DigiTimes電子時報 2013年9月5日 ... 行動運算產品市場持續朝產品薄化方向設計,目前相關設計多使用整合晶片減少 ... 必須利用堆疊與更複雜的3D IC技術進行元件整合的積極微縮設計…
3D IC矽穿孔Via-middle技術方案快速發展 - DigiTimes電子時報 2013年9月5日 ... 對於先進產品的設計需求,核心應用晶片元件勢必得面對體積、效能與功耗三大問題 ,而這三個問題目前都可以透過3D IC技術方案獲得解決,只是3D ...
3D IC技術蓄勢待發量產化仍需時間 - DigiTimes電子時報 但除了借助能縮減線路寬度、間距但成本高昂的先進奈米製程技術之外,IC設計業者 、 .... 高通(Qualcomm)、博通(BroadComm)等IC設計業者也已導入3D TSV技術,來 ...
3D IC-電子工程專輯 新思科技(Synopsys)稍早前宣佈,針對3.5D及3DIC整合設計,提出了一系列設計 工具支援,稱之為3D-IC initiative,可支援多晶片堆疊系統設計,滿足新一代晶片在 ...